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        北京氮化鎵單晶基片

        • 產品名稱: 北京氮化鎵單晶基片
        • 產品分類: 氮化鎵單晶基片
        • 公司名稱: 山東科恒晶體材料科技有限公司
        • 添加時間: 18/01/30
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        性能:

        氮化鎵作為第三代半導體,也被諾貝爾物理學獲獎者中村修二稱之為“終極襯底”,其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質,使得它成為迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系,并可以成為制備寬波譜、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件的關鍵基礎材料。

        指標:

        2英寸直徑藍寶石襯底外延GaN厚膜

        厚度: 10~50μm(藍寶石襯底外延GaN)

        位錯密度:小于1×107 cm-2

        TTV:≦ 10 μm

        BOW:≦ 15 μm

        ?自支撐GaN單晶襯底

        厚度: 400.0μm ±30.0μm,300μm ±30.0  μm,

        位錯密度:小于5×106 cm-2

        TTV:≦ 10 μm

        BOW:≦ 15 μm

        粗糙度:Ra≤0.2 nm


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